RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
70
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
70
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link