RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
70
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
70
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link