RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2960
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link