RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
29
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
4035
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link