RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3798
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
UMAX Technology 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link