RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2654
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link