RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
54
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2654
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link