RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3187
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link