RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3363
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link