RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2372
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link