RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link