RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link