RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link