RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link