RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link