RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3727
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link