RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3212
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link