RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3782
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link