RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
29
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
21.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3778
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link