RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3017
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link