RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
29
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
17
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3550
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link