RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1617
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link