RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston 9905703-011.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link