RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston 9905734-059.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3138
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link