RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston 9965662-002.A01G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
8.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2079
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link