RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
47
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
47
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2576
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link