RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
43
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2571
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link