RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
44
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link