RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link