RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2389
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link