RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2841
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link