RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
51
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
9.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2248
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link