RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
51
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
9.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2248
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link