RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link