RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link