RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около 37% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
46
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2936
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link