RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2183
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link