RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
73
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link