RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2279
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link