RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3145
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9965426-079.A00LF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link