RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
77
79
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
79
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1651
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link