RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
79
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
79
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1651
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link