RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link