Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 96
    Около 74% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.1 left arrow 11
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.1 left arrow 4.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 96
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.1 left arrow 11.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 4.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2764 left arrow 1062
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения