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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
96
Por volta de 74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
4.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
96
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
4.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
1062
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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