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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
96
Rund um 74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
96
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
4.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
1062
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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