RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
96
Autour de 74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
4.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
96
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
4.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1062
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link