RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
29
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link