RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
62
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
35
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link