RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
62
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
35
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link