RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3385
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link