RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
5.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
11.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
5.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1884
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link