RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2849
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link