RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2849
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link