RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3866
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link