Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Средняя оценка

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 51

Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.8 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.3 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 36
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 15.8
Скорость записи, Гб/сек

8.1 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2208 3099

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

модули RAM